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Si8439DB
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
2
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
N otes:
t 1
t 2
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
Single P u lse
P DM
t 1
t 2
1. D u ty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 8 5 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 -1
1
1 0
100
6 0 0
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient (1" x 1" FR4 Board with Full Copper)
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
N otes:
0.1
t 1
t 2
0.1
0.01
0.05
0.02
Single P u lse
P DM
t 1
t 2
1. D u ty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 175 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
10 -3
10 -2
10 -1
1
1 0
100
1 0 0 0
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient (1" x 1" FR4 Board with Minimum Copper)
www.vishay.com
6
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
Document Number: 63839
S13-1703-Rev. B, 29-Jul-13
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